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簡(jiǎn)要描述:MPE-L2型?微流控制備儀,是蘇州艾特森在大量微納米制劑微流控技術(shù)應(yīng)用的工藝研究和驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上,特別開發(fā)的一款可用于科研及早期工藝驗(yàn)證和技術(shù)開發(fā)的微流控設(shè)備。
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MPE-L2型微流控制備儀,是蘇州艾特森在大量微納米制劑微流控技術(shù)應(yīng)用的工藝研究和驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)上,特別開發(fā)的一款可用于科研及早期工藝驗(yàn)證和技術(shù)開發(fā)的微流控設(shè)備。MPE-L2以注射泵為動(dòng)力,較少樣品即可展開實(shí)驗(yàn),另外,MPE-L2的創(chuàng)新設(shè)計(jì),支持在實(shí)驗(yàn)進(jìn)行中多次進(jìn)樣。
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功能應(yīng)用
♦ 化學(xué)藥品脂質(zhì)體(Liposome)制備,如多柔·比星脂質(zhì)體、伊立替康脂質(zhì)體等;
♦ 生物類脂質(zhì)納米顆粒顆粒(LNP)制備,如mRNA脂質(zhì)體、siRNA脂質(zhì)體等;
♦ 聚合物納米顆粒/微球等制備,如PLGA微球、PEG-PLGA納米顆粒等;
♦ 乳劑(Emulsion)的制備,如疫苗佐劑、脂肪乳制劑等;
♦ 有機(jī)/無(wú)機(jī)納米粒,如金納米等;
♦ 其他相關(guān)微納米制劑。
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微流控芯片
微流控芯片是基于應(yīng)用工藝的定制型特殊流道結(jié)構(gòu)部件,其通道結(jié)構(gòu)和尺寸均與項(xiàng)目工藝需求相結(jié)合,屬定制型結(jié)構(gòu)件。具體來(lái)說(shuō)可實(shí)現(xiàn)以下四種功能:
① 兩相的混合、乳化;
② 微粒形成后的孵育;
③ 微粒形成后的粒徑控制;
④ 二次混合或乳化。
典型芯片
艾特森微流控芯片基于微流體技術(shù),結(jié)合微納米制劑相關(guān)制備原理,經(jīng)特別設(shè)計(jì),精細(xì)加工而成。艾特森獨(dú)·有的金屬微流控芯片,擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),滿足各種類型的微納米制劑線性放大和連續(xù)生產(chǎn)的應(yīng)用需求。
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技術(shù)參數(shù)
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微流控制備系統(tǒng)介紹
艾特森微流控制備系統(tǒng)定位于微納米制劑、復(fù)雜注射劑的科研和產(chǎn)業(yè)化技術(shù)應(yīng)用, 通過(guò)專·利設(shè)計(jì)的微流控芯片,高度集成化、體系化的硬件系統(tǒng)(輸送泵系統(tǒng)、PAT工 具包等),以及以工藝應(yīng)用為導(dǎo)向的人性化軟件系統(tǒng),為L(zhǎng)iposome、LNP、微乳、微晶、微球等不同藥物載體的科研和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供了成熟、豐富的解決方案?;诎厣⒘骺丶夹g(shù)的設(shè)備和方案,已用于多個(gè)臨床藥品的開發(fā)。
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微流控技術(shù)介紹
微流控(Microfluidic)技術(shù)是一種基于(微)流體力學(xué)理論,在管線中實(shí)現(xiàn)樣品制備與加工的技術(shù)。完·美的將微流體的理化模型與流體力學(xué)理論相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)樣品的混合、乳化及分離純化等功能。
微流控技術(shù)將過(guò)程控制技術(shù)(Process Control Technology,PCT)與過(guò)程分析技術(shù)(Process Analytical Technology,PAT)相結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)良好的在線樣品制備技術(shù)(On-line Preparation Technology,OPT)。樣品在連續(xù)化制備的過(guò)程中,工藝過(guò)程中參數(shù)完·全可控,且具備良好重現(xiàn)性,所以較傳統(tǒng)分步割裂式制備、分批次生產(chǎn)的方法來(lái)說(shuō)更具有可放大性。
可實(shí)現(xiàn)樣品的初乳化、復(fù)乳化、粒徑控制功能。
微流控制備系統(tǒng)通過(guò)制備泵和高壓輸送泵與微流控芯片相連接,A相和B相可按照一定的比例恒速的輸送至芯片中進(jìn)行混合,乳化。在微流控芯片中通過(guò)設(shè)計(jì)不同的流道結(jié)構(gòu),控制不同的速度,使得樣品在微流控芯片中達(dá)到湍流、層流或霧化狀態(tài),可以實(shí)現(xiàn)樣品的初乳化或復(fù)乳化的要求。
制備好的樣品通過(guò)高壓泵輸送至高壓微流控芯片中,通過(guò)撞擊力和剪切力來(lái)控制粒徑,使其達(dá)到所需范圍內(nèi)。粒徑最小可達(dá)到100nm以內(nèi),PDI至0.1以下。
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