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微流控芯片的光刻工藝流程,大家快點(diǎn)進(jìn)來(lái)看看
微流控芯片的光刻工藝流程,大家快點(diǎn)進(jìn)來(lái)看看
更新時(shí)間:2022-12-01 | 點(diǎn)擊率:1350
微流控芯片
分析以芯片為操作平臺(tái), 同時(shí)以分析化學(xué)為基礎(chǔ),以微機(jī)電加工技術(shù)為依托,以微管道網(wǎng)絡(luò)為結(jié)構(gòu)特征,以生命科學(xué)為主要應(yīng)用對(duì)象,是微全分析系統(tǒng)領(lǐng)域的發(fā)展重點(diǎn)。其目標(biāo)是將整個(gè)實(shí)驗(yàn)室的功能,包括采樣、稀釋、試劑添加、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等集成在微芯片上,并且可以多次使用。它是一個(gè)高度集成的芯片平臺(tái),具有低材料消耗、運(yùn)行時(shí)間短、價(jià)格低廉、使用安全、高通量、低污染等特點(diǎn),在微技術(shù)領(lǐng)域形成了固有優(yōu)勢(shì)。
微流控芯片特征主要是其容納流體的有效結(jié)構(gòu)(通道、反應(yīng)室和其它某些功能部件)至少在一個(gè)緯度上為微米級(jí)尺度。由于微米級(jí)的結(jié)構(gòu),流體在其中顯示和產(chǎn)生了與宏觀尺度不同的性能。因此發(fā)展出分析產(chǎn)生的性能。
微流控芯片的光刻工藝流程如下:
1.仔細(xì)清洗基板;
2.在干凈的基片表面鍍上一層阻擋層,例如鉻、二氧化硅、氮化硅等;
3.再用甩膠機(jī)在阻擋層上均勻地甩上一層幾百A厚的光敏材料——光刻膠。光刻膠的實(shí)際厚度與它的粘度有關(guān),并與甩膠機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度的平方根成反比;
4.在光掩模上準(zhǔn)備所需的通道圖案。光掩模覆蓋在襯底上,用紫外光照射涂覆有光刻膠的襯底,光刻膠產(chǎn)生光化學(xué)反應(yīng);
5.用光刻膠配套顯影液通過(guò)顯影的化學(xué)方法除去經(jīng)曝光的光刻膠。這樣,可用制版的方法將底片上的二維幾何圖形精確地復(fù)制到光刻膠層上;
6.烘干后,利用未曝光光致抗蝕劑的保護(hù),通過(guò)化學(xué)蝕刻在阻擋層上的負(fù)膜上精確蝕刻平面二維圖形。
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